Kieszonkowy detektor DNA
14 marca 2008, 09:05Interdyscyplinarne podejście do nauki już nieraz okazało się najlepszym rozwiązaniem istniejących problemów. Tym razem wysiłek specjalisty w dziedzinie nanotechnologii ma szansę stać się przełomem w biologii molekularnej, a dzięki temu być może także w innych dziedzinach, np. w kryminalistyce lub medycynie. Dr Samuel Afuwape z amerykańskiego Uniwersytetu Narodowego, bo o nim mowa, opublikował niedawno hipotetyczny model przenośnego urządzenia zdolnego do szybkiego i wygodnego wykrywania DNA o określonej sekwencji.
Wkrótce zadebiutuje Xeon z tranzystorami 3D
12 kwietnia 2012, 15:18Jeszcze w bieżącym kwartale na rynek trafi pierwszy serwerowy procesor Intela z tranzystorami 3D (tranzystor trójbramkowy). Nowy Xeon będzie korzystał z architektury Ivy Bridge, a jego pierwsze wersje będą przeznaczone na rynek mikroserwerów.
Przełączanie grafenu
25 sierpnia 2008, 12:14Niemiecka firma AMO, we współpracy z brytyjskimi naukowcami z University of Manchester, stworzyła grafenowy przełącznik.
Krzem ma poważną konkurencję
10 grudnia 2012, 19:46Inżynierowie z MIT-u wyprodukowali najmniejszy tranzystor uzyskany z arsenku galu. Tym samym dowiedli, że materiał ten może w niedalekiej przyszłości zastąpić krzem w roli głównego półprzewodnika uzywanego w elektronice
Bell Labs rezygnuje z badań nad półprzewodnikami
1 września 2008, 10:44Bell Labs, jedna z najbardziej zasłużonych instytucji badawczych w przemyśle IT, rezygnuje z badań nad układami scalonymi. Od sześciu lat, kiedy to z Bell Labs wydzielono grupę zajmującą się półprzewodnikami, wydział badań materiałowych i fizyki urządzeń chylił się ku upadkowi.
Grafenowo-molibdenitowy układ pamięci
20 marca 2013, 17:19Szwajcarzy z École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) połączyli dwa rewolucyjne materiały - grafen i molibdenit - w prototypowy układ pamięci flash. Uczeni z EPFL już przed dwoma laty zwrócili uwagę na niezwykle interesujące właściwości molibdenitu, a kilka miesięcy później zaprezentowali pierwszy układ scalony wykonany z tego materiału.
Najszybszy grafenowy tranzystor
22 grudnia 2008, 12:33IBM poinformował o stworzeniu najbardziej wydajnego grafenowego tranzystora polowego. Urządzenie, które może pracować z najwyższymi notowanymi dotąd częstotliwościami, powstało w ramach finansowanego przez DARPA programu Carbon Electronics for RF Applications (CERA).
Silicenowy tranzystor
4 lutego 2015, 13:41Włosko-amerykańskiemu zespołowi naukowców udało się zbudować pierwszy tranzystor z silicenu. Materiał ten to alotropowa, jednoatomowa odmiana krzemu, tworząca pofałdowaną warstwę przypominającą plaster miodu.
Nowa metoda na elektronikę
20 lutego 2009, 12:47Naukowcy z University of Pittsburgh opracowali platformę do tworzenia różnego rodzaju niezwykle małych układów elektronicznych. Ta sama technika może być użyta zarówno do produkcji kości pamięci, jak i procesorów.
Prawo Moore'a przetrwa CMOS
3 lutego 2016, 09:59Prawo Moore'a przeżyje technologię CMOS i będzie obowiązywało w odniesieniu do przyszłych technik wytwarzania układów scalonych, uważa Wiliam Holt z Intela. Holt, odpowiedzialny w Intelu za wydział technologii i produkcji, nie zdradził, którą z technologii mających zastąpić CMOS wdroży jego firma
